Kalınlığı kontrol edilebilen ince filmlerde moleküler yönlenme ve yerleşme prosesine izin veren Langmuir Blodgett (LB) tekniği elektronik, magnetik ve iletkenlik işlemleri için oldukça elverişli bir yöntemdir. LB tekniği kullanılarak katı destek maddesi üzerine su yüzeyinden tekli tabaka transferi mümkündür ve iyi-yönelmiş ince filmler hazırlanabilir. LB filmleri su-hava ara yüzeyinde oluşurlar ve yüzey basıncına karşı molekül başına düşen moleküler alan eğrisi olan (?-A) izotermi ile karakterize edilirler. Hava-su arayüzeyinde ili proses gerçekleşir, hava-su ara yüzeyinde koordinasyon ligandlarının LB filmlerinin oluşumu ve alt fazdaki metal iyonlarının yeniden koordinasyonunun ara yüzeyde oluşması. Bu çalışmada triazin türevi bileşiklerin (DIOXHDA ve DIHAPA) LB filmlerinin hava-su ara yüzeyinde oluşması ve silikon wafer katı destek yüzeyi üzerine filmin depoziyonu gerçekleştirilmiştir. DIOXHDA (2,4-bis(o-oksianilin)-6-(hekzadesilamino)-1,3,5-triazin) ve DIHAPA (2,4-bis(o-hidroksiamino)-6-(fenilamino)-1,3,5-triazin) filminin yüzey yapısı atomik kuvvet mikroskobu (AFM), yüzey temas açısı ölçümü, infrared spektroskopisi (FTIR) yöntemleri kullanılarak araştırılmıştır. Sonuç olarak bu çalışmada triazin türevine ait LB filmlerinin hazırlanması ve karakterizasyonu yapılmıştır.
The Langmuir-Blodgett (LB) technique, which allows the orientation and placement of molecules in thin films of controlled thickness, has been used as a possible tool to electronic, magnetic and conducting properties. By means of the LB technique it is possible to transfer the monolayer from the water surface onto a solid substrate, and a well-oriented monomolecular film is formed. Langmuir films were formed at the air-water interface and were characterized by surface pressure vs mean molecular area per molecule unit (?-A) isotherms. Two processes occurring at the air-water interface dominate the mechanism of formation of these LB films, the instability of the coordination ligands at the air-water interface, with liberation of metal ions into the subphase and recoordination of metal ions in the subphase occurs at the interface. We present results concerning the formation of LB films of a triazine derivative compound (DIOXHDA and DIHAPA) at the air-water interface, and their structure as LB films when deposited on silicon wafer substrates. Surface morphology of the DIOXHDA (2,4-bis(o-oxyaniline)-6-(hexadecylamino)-1,3,5-triazine) and DIHAPA (2,4-bis(o-hydroxyamino)-6-(phenylamino)-1,3,5-triazine) deposited films was examined with atomic force microscopy (AFM), contact angle measurement, infrared spectroscopy (FTIR). Finally, in this study we present a study of the conditions of preparation and characterization of LB films of triazine derivatives.
